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NDP603AL产品参数和技术文档

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NDP603AL产品参考价格

NDP603AL产品参数

品牌:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB
详细描述:
通孔 N 沟道 30V 25A(Tc) 50W(Tc) TO-220
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
40nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
50W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
45
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
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产品索引: NJM3771D2 NCP1410DMR2 NCV1117DTARKG NDT456P NJM3717D2 NE555DRG4 NZT751 NDT454P NZT660A NJU39610D2

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